Le principal fabricant chinois de mémoire DRAM, CXMT, prévoit de lancer dans les deux prochains mois une production commerciale limitée de HBM3E, malgré un taux de rendement compris entre 20 % et 30 %. Ce niveau, très inférieur aux quelque 70 % de rendement de SK Hynix sur des produits comparables, indique que la plupart des puces produites échouent aux tests de qualité. Reuters indique également que les capacités de fabrication de CXMT correspondent davantage à la HBM3, génération précédente, qu’à la norme HBM3E actuelle. Des échantillons ont déjà été envoyés à des clients chinois, dont l’unité de puces d’Alibaba, T-Head, et le concepteur Cambricon, afin d’en évaluer les performances. Cette stratégie s’inscrit dans un contexte de pénurie de mémoire pour l’intelligence artificielle en Chine, provoquée par les restrictions américaines sur les exportations de HBM, et pourrait aider CXMT à améliorer ses rendements grâce aux retours du marché.
Source: Lire l’article original
