TSMC fournira sa technologie de processus 3nm pour les substrats de base des puces de memoire haute bande passante personnalisees NVHBM de Nvidia. Les trois principaux fabricants de memoire, Samsung, SK Hynix et Micron, ont accepte d utiliser ce procede, Samsung collaborant pour la premiere fois avec TSMC sur la fabrication de substrats de base HBM. NVHBM vise une augmentation de la bande passante memoire jusqu a 30 % et une reduction de la consommation electrique de 15 % par rapport a la norme HBM4E. Micron prevoit une production en volume d ici 2027 et anticipe une amelioration de sa rentabilite grace a ce changement.
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