SK Hynix prévoit de porter la part de ses DRAM de sixième génération 10 nm, dites 1c, de 13 % au deuxième trimestre 2026 à 34 % au quatrième trimestre 2026, détrônant ainsi Samsung dont la part estimée s’établira à 31 % sur la même période. Cette technologie 1c constitue la base des mémoires HBM4E dont la production de masse est prévue pour 2027. SK Hynix a déjà expédié des échantillons de HBM4E 12 couches en juin 2026, affichant 48 Go de capacité et des débits de 16 Gbps par broche, avec une efficacité énergétique supérieure de plus de 20 % à celle de la HBM4. Selon Counterpoint Research, SK Hynix devrait détenir une part de marché d’environ 55 % sur le segment HBM4 en 2026.
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