Nagare Labs, une entreprise issue de Georgia Tech soutenue par l’ancien directeur général d’Intel Pat Gelsinger, a présenté le 26 octobre 2026 Z2RAM, une mémoire à deux transistors sur des semi-conducteurs à oxyde, sans condensateur. Cette technologie doit être empilée directement au-dessus des accélérateurs d’intelligence artificielle afin de réduire le mur de la mémoire, c’est-à-dire l’écart croissant entre la vitesse de calcul des processeurs et la vitesse d’accès aux données. Pour sa première génération empilée sur six couches, l’entreprise projette une densité supérieure à cinq fois celle de la SRAM haute densité en 2 nm, une vitesse d’accès quatorze fois supérieure à celle de la DRAM actuelle et une énergie de lecture d’environ un tiers de celle de la SRAM standard. Les essais publiés ont notamment démontré une rétention des données supérieure à 300 secondes jusqu’à 85 degrés Celsius, mais ces chiffres reposent encore sur des cellules expérimentales. Nagare Labs prévoit des échantillons de tuiles de mémoire fonctionnelles vers 2030 et une production de masse dans les dix ans, sous réserve de la validation de prototypes multicouches, de la fiabilité à grande échelle et de la signature d’un partenaire de fabrication.
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