Samsung a commencé en février 2026 les livraisons en volume de mémoire HBM4 à 12 couches à Nvidia, principalement pour l’accélérateur d’IA Vera Rubin, avec des vitesses atteignant 11,7 Gbit/s. Samsung et SK hynix prévoient de produire en volume des piles à 8 couches pour les systèmes Rubin Ultra NVL de Nvidia au deuxième trimestre 2027. Les piles plus courtes sont privilégiées pour leur meilleure gestion thermique et leur rendement de fabrication supérieur. SK hynix devrait fournir environ deux tiers des volumes de HBM4 de Nvidia, tandis que Samsung vise une part de 28 % ou plus, les deux entreprises devant contrôler plus de 80 % du marché à mi-2027.
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