Lors d’une conférence technologique organisée le 21 octobre 2026, Micron Technology a détaillé une feuille de route centrée sur l’intelligence artificielle, avec une nouvelle génération de mémoire à haute bande passante chaque année jusqu’en 2030, de HBM4 à HBM6. Les variantes personnalisées et verticales, baptisées vHBM, doivent arriver en 2028, viser une bande passante d’environ 2 TB/s et une consommation inférieure à 1 picojoule par bit. Micron prévoit également un accès direct des processeurs graphiques au stockage flash, ainsi que le passage en production de masse du nœud DRAM 1-delta et de la NAND G11 au second semestre 2027, cette dernière dépassant 400 couches et offrant environ deux fois la densité de la G9. L’entreprise anticipe une offre de mémoire toujours tendue jusqu’à l’exercice 2028, soutenue par des accords clients représentant près de 35 % de ses ventes jusqu’en 2030, tout en abandonnant une génération prévue pour accélérer le développement de la 6F² et de la DRAM 3D.
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