ASML, TSMC et l’institut de recherche imec ont démontré les premiers transistors complémentaires à base de matériaux bidimensionnels sur des plaquettes standard de 300 mm, atteignant un rendement de 94 %. Les transistors n-type utilisent du disulfure de molybdène (MoS₂) et les transistors p-type du disulfure de tungstène (WS₂) ou du diséléniure de tungstène (WSe₂), avec un espacement entre grilles de 50 nanomètres. Ces résultats, présentés en juin 2026 au symposium IEEE/JSAP sur la technologie et les circuits VLSI, ont été obtenus grâce à la lithographie EUV à patron unique d’ASML. Cette avancée montre que la production commerciale de transistors post-silicium n’est plus de la science-fiction mais un calendrier d’ingénierie réalisable, bien que des défis d’intégration restent à surmonter.
Source: Lire l’article original
