Samsung Electronics prépare à Taylor, dans le Texas, la construction d’une deuxième usine baptisée Taylor Fab 2, dont la mise en production est prévue en 2030. D’environ 2,7 millions de pieds carrés, ce site fabriquerait exclusivement des dies de base pour mémoires à bande passante élevée destinées à AMD et Nvidia. Les dies de baseutup sont combinés à des dies DRAM fabriqués en Corée du Sud pour former des piles HBM complètes, avec un objectif de production en technologie 2 nm, contre 4 nm actuellement utilisé pour HBM4. La première usine de Taylor, qui doit notamment approvisionner Tesla dans le cadre d’un accord de 16,5 milliards de dollars, doit atteindre sa pleine capacité d’ici la fin de 2026. Ce projet renforce la position de Samsung face à TSMC et augmente la capacité américaine de production d’un composant essentiel à l’intelligence artificielle, tout en conservant une dépendance à la Corée du Sud pour les dies DRAM.
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