SK Hynix, leader mondial de la mémoire HBM pour les centres de données d’intelligence artificielle, négocie avec Intel Foundry pour produire les substrats de base de ses prochaines piles mémoire HBM4E. Ce mouvement marque une diversification stratégique par rapport à TSMC, qui fabrique actuellement ces substrats dont le coût est estimé entre trois et quatre fois supérieur à celui des puces DRAM principales de SK Hynix. La technologie EMIB d’Intel est évaluée comme alternative à l’encapsulage avancé CoWoS de TSMC, avec des évaluations préliminaires suggérant des réductions de coûts d’emballage d’environ 50%. SK Hynix investit simultanément plus de 4 milliards de dollars dans une usine d’assemblage avancé à West Lafayette, dans l’Indiana, avec un objectif de production en volume au second semestre 2029. Cette partnership intervient alors que Samsung, principal concurrent de SK Hynix, développe ses propres procédés de fonderie 4 nm spécifiquement conçus pour les substrats de base HBM4.
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